Zero-capacitor random-access memory

Zero-capacitor random-access memory, afkorting Z-RAM, is een nieuw soort computergeheugen dat ontwikkeld wordt door Innovative Sillicon (ISi)^[1] Z-RAM gebruikt slechts 1 enkele transistor in tegenstelling tot SRAM (8, 6 of 4 transistors) en DRAM (1 transistor en 1 condensator). Hiermee elimineert men het probleem van de moeilijk te creëren condensator die zich bevindt in conventioneel DRAM-geheugen. Doordat de condensator wegvalt kan er op eenzelfde ruimte meer geheugen geplaatst worden en verbruikt het geheugen minder. Wat als gevolg heeft dat het goedkoper wordt om een bepaalde hoeveelheid aan geheugen te produceren.

1. ↑ (en) innovativesilicon.com